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GIS設(shè)備局部放電主要缺陷類型淺析(二)-國浩電氣
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GIS設(shè)備局部放電主要缺陷類型淺析(二)

發(fā)布時(shí)間:2020-02-12 04:28:44人氣:

我們接著上一篇文章為大家繼續(xù)介紹GIS內(nèi)部缺陷:

(5)GIS氣室絕緣子在制造時(shí)絕緣體內(nèi)部或表面存在氣泡、裂紋等

氣泡缺陷主要包括絕緣子內(nèi)部存在氣泡和絕緣子與高壓導(dǎo)體交界面的氣隙缺陷。氣泡缺陷通常很小,常常是在制造過程中形成但又很難檢測,比如盆式絕緣子、橫擔(dān)/支柱絕緣子,絕緣套管在產(chǎn)品制造的過程中,壓鑄過程中空氣沒有擠出完全,導(dǎo)致絕緣子內(nèi)部殘留有氣泡等。氣泡放電機(jī)理比較復(fù)雜,這是因?yàn)樵谝粋€(gè)氣泡中就有可能存在著多種類型的放電。一般認(rèn)為氣泡中的放電可能有3個(gè)途徑:一是貫穿氣泡的氣體放電;一是沿氣泡上下底面的沿面放電;一是沿氣泡壁的表面放電。另外,也有可能存在著多個(gè)氣泡,各個(gè)氣泡的放電又各不相同,互相影響疊加,造成貫穿性故障。


(6)絕緣子表面非金屬污染物缺陷

GIS設(shè)備在生產(chǎn)、裝配、運(yùn)行以及檢修等過程中會在設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生非金屬污染物,如灰塵、油污等,并且現(xiàn)場的安裝條件復(fù)雜,無法完全清除。當(dāng)這些污染物運(yùn)動到絕緣子表面可能會被絕緣子表面吸附,如果這些非金屬污染物改變GIS設(shè)備內(nèi)部電場強(qiáng)度的分布,進(jìn)而會導(dǎo)致局部放電產(chǎn)生。

(7)地電極故障缺陷

地電極缺陷通常也是由于加工不良、機(jī)械破壞或組裝時(shí)的刮擦等因素形成的設(shè)備外殼尖刺、錯(cuò)位而造成的,其中設(shè)備外殼的金屬尖刺故障缺陷最為常見。一般這種故障缺陷的起始放電電壓較高,SF6氣體的擊穿電壓更高,不會導(dǎo)致SF6的氣體擊穿,但是相比較而言,當(dāng)GIS設(shè)備外殼的金屬尖刺出現(xiàn)在絕緣子表面的外緣或底部時(shí),容易發(fā)生沿面放電。

(8)交界面缺陷

GIS設(shè)備屬于固體一氣體組成的復(fù)合絕緣系統(tǒng)。放電通常發(fā)生在SF6氣體一絕緣子一金屬電極的三物質(zhì)交界面處。由于SF6氣體的介電常數(shù)比固體絕緣材料的小,因此在三種物質(zhì)交界面上SF6氣體中的電場強(qiáng)度較高,容易出現(xiàn)碰撞電離并逐漸發(fā)展成絕緣子沿面閃絡(luò),是絕緣的薄弱環(huán)節(jié)。同時(shí)金屬電極與固體絕緣子接觸時(shí)也會形成楔形的微小間隙,也會使得局部場強(qiáng)升高。

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