局部放電（簡稱局放）是指僅使導(dǎo)體間的部分絕緣發(fā)生的放電現(xiàn)象，發(fā)生局放的位置距離導(dǎo)體可能很近，也有可能距離導(dǎo)體很遠(yuǎn)。造成局部放電的原因一般是絕緣體表面或者內(nèi)部的場強畸變，通常局部放電波形是持續(xù)時間<1μs的高頻脈沖。電暈放電是局部放電的一種，它是在導(dǎo)體附近的介質(zhì)中發(fā)生的。并不是所有的局部放電都是電暈放電，局部放電還存在著其它表現(xiàn)形式。
局部放電經(jīng)常發(fā)生在液體介質(zhì)的氣泡中或者固體的孔隙，或者由于高壓電氣設(shè)備的固體介質(zhì)、氣體介質(zhì)或液體介質(zhì)中有尖的突起導(dǎo)致空間電場嚴(yán)重畸變。如果局部場強超過放電起始電壓，而且存在自由電子，則會發(fā)生電子崩?？赡?/span>由于空腔壁的壁全效應(yīng)，或者由于在氣體介質(zhì)或液體介質(zhì)中傳播時的空間電荷效應(yīng)，這樣的電子崩止于局部放電。局部放電的過程是有局限的，而且具有暫態(tài)的性質(zhì)，在時空特性上具有微秒級或更短的時間持續(xù)表現(xiàn)。雖然局部放電持續(xù)的時間很短，但是局部放電的高能帶電粒子與直接在導(dǎo)體附近的液體介質(zhì)或者固體介質(zhì)相互影響，最終可能導(dǎo)致分子的化學(xué)鍵斷裂、化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，燒燭絕緣材料。
很重要的一點是，我們檢測得到的并不是真正的局部放電，它是局部放電在靠近導(dǎo)體或終端產(chǎn)生的電荷，或者甚至從更為復(fù)雜的角度，波從誘導(dǎo)電荷傳播到局部放電檢測器。在頻率更高時，分立元件這個概念并不一定總能有效的，而實際上分析這類問題時更多的采用偶極子模型或波激勵的概念。
在長時間的作用下，高能帶電粒子與直接在導(dǎo)體附近的液體或者固體介質(zhì)相互影響最終可能會導(dǎo)致全部絕緣的介電性能受到破壞，假如局部放電是連續(xù)發(fā)生的，則這種破壞將具有累積效應(yīng)，這種破壞實際上就是一種絕緣“運行老化”。雖然造成絕緣變得老化的過程還有其它原因，但是局放現(xiàn)象是引起介質(zhì)絕緣老化的一個最主要原因。因此，在絕緣介質(zhì)中對局部放電進行檢測和標(biāo)定是評定絕緣狀態(tài)的必然要求。
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