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局部放電特高頻檢測要求

發(fā)布時間:2020-06-27 02:51:49人氣:

GIS內(nèi)部絕緣若發(fā)生局部放電現(xiàn)象,宏觀上表現(xiàn)為電流幅值迅速上升和衰減的振蕩脈沖電流信號。微觀上則是一些原子或分子的自由電子在電場作用下以不同速度移動的過程,在電荷以非恒定速度運動時,會發(fā)射出瞬態(tài)電磁場,并從放電源向空間的各個方向輻射出來。由于GIS設(shè)備內(nèi)部絕緣承受的場強較大,一旦發(fā)生局部放電信號,其放電時間較短,電流脈沖的陡度較大,輻射的特高頻電磁波的頻率可高達數(shù)百MHz甚至數(shù)GHz。

GIS設(shè)備的檢測條件要求主要有:(1)被檢設(shè)備是帶電運行設(shè)備,盆式絕緣子為非金屬封閉或內(nèi)置有特高頻傳感器;(2)GIS設(shè)備為額定氣體壓力,在GIS設(shè)備上無各種外部作業(yè);(3)在檢測時應(yīng)最大限度保持測試周圍信號的干凈,盡量減少人為制造出的干擾信號,例如:手機信號、照相機閃光燈信號、照明燈信號等;(4)進行室外檢測避免雨、雪、霧、露等相對濕度大于80%的天氣條件。

 
在進行GIS設(shè)備帶電檢測過程中,特高頻傳感器的放置部位及要求如下:(1)GIS內(nèi)部局部放電產(chǎn)生的特高頻信號在GIS腔體內(nèi)以橫向電磁波方式傳播,只有在GIS殼的金屬非連續(xù)部位才能泄漏出來。在GIS上只有無金屬法蘭的絕緣子、觀察窗、接地開關(guān)的外露絕緣件、內(nèi)置式CT,PT二次接線盒等部位才能測量到信號,特高頻傳感器需安置在這些部位;(2)傳感器應(yīng)與盆式絕緣子緊密接觸,且應(yīng)放置于兩根禁錮盆式絕緣子螺栓的中間,以減少螺栓對內(nèi)部電磁波的屏蔽及傳感器與螺栓產(chǎn)生的外部靜電干擾;(3)在測量時應(yīng)盡可能保證傳感器與盆式絕緣子的接觸,不要因為傳感器移動引起的信號而干擾正確判斷。GIS設(shè)備的特高頻天線的檢測位置如圖所示。
GIS設(shè)各特高頻天線安裝位置示意圖
GIS設(shè)各特高頻天線安裝位置示意圖

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