通常，我們應用湯申理論和流注放電理論來描述電氣設備的絕緣系統(tǒng)內(nèi)部發(fā)生局部放電的原理。

1. 湯申理論
英國物理學家湯申認為：在電場的作用下，自由電子的移動速度加快并和氣體中性分子發(fā)生碰撞，當電子的動能足夠大時，就會使被撞的中性分子游離，激發(fā)出新的自由電子和正離子。這種碰撞游離一旦發(fā)生，就將會越來越劇烈。被碰撞游離出的新自由電子在強電場的作用下繼續(xù)加速，并將產(chǎn)生新的碰撞游離，使得自由電子的數(shù)量急劇增多，形成電子崩。當滿足自持放電的條件時，就會發(fā)生持續(xù)的局部放電。

2. 流注放電理論
學者洛伊布和米克在湯申德理論基礎上，通過大量的試驗研究和對雷電的觀測，得出了下述結論：在氣隙放電中，除了電子碰撞游離以外，對放電的發(fā)展起作用的主要是光游離作用。當電場強度足夠大時，先是電子碰撞游離發(fā)展成電子崩，這里我們稱之為初崩。由于電子的質量小，所以在電場的作用下獲得加速很容易，并快速移動到電子崩的頭部。而正離子質量大，體積比電子也大得多，因此緩慢地移動到電子崩的尾部。同時，由于電子的擴散作用，電子崩的半徑愈來愈大，其外形如一個頭部為球形的圓錐體。當自由電子和正離子濃度很高時，二者就會發(fā)生復合而產(chǎn)生光電子，光電子進入電子崩兩端的高場強區(qū)，很快就會激發(fā)中性分子游離，釋放出自由電子并發(fā)展成二次電子崩。二次電子崩頭部的電子與初崩的正離子匯合成為充滿正負電荷的混合通道，我們稱之為流注通道。當流注通道貫穿陰陽兩個電極時，就會產(chǎn)生氣體放電。這樣沿著狹窄的流注通道進行放電，就形成了流注放電。由于光游離的放電速度比電子碰撞游離的速度快，所以流注放電比單純依靠電子碰撞游離的放電速度要快得多。